尊敬的客户:清明节4月4日-6日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > DMN10H220LE-13代替型号比较

DMN10H220LE-13  与  BSP373N H6327  区别

型号 DMN10H220LE-13 BSP373N H6327
唯样编号 A3-DMN10H220LE-13 A-BSP373N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V 177mΩ
上升时间 - 5.9ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 9.3nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 3.23S
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.3A 1.8A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 13.5ns
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W(Ta) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 21.9ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSP373
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 401pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 4.6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

暂无价格 0 当前型号
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
IRLML0100TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 N-Channel 220mΩ@1.6A,10V 1.3W -55°C~150°C ±16V 100V 1.6A

暂无价格 0 对比
BSP373NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP373N H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IRFL4310PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
BSP373N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP373NH6327XTSA1_100V 1.8A 177mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售